n型光伏硅晶体中的载流子复合中心表征及讨论【原 帅】 |
发布时间:2024-11-04 | 浏览次数:68 |
n型光伏硅晶体中的载流子复合中心表征及讨论 原 帅 浙江大学材料科学与工程学院,硅及先进半导体材料全国重点实验室 上虞半导体材料研究中心,浙江高性能硅材料装备全省重点实验室 E-mail: shuaiyuan@zju.edu.cn 报告摘要 TOPCon电池是目前占比最高的量产电池类型,其高温扩散过程对硅片质量提出了更高要求。目前n型硅片发展的趋势是电阻率的均匀化、低氧与低金属含量,在质量大幅优于p型片的前提下TOPCon电池端仍较容易产生以同心圆缺陷为主的降档问题。生产实践中存在同心圆缺陷预测指标不可靠、实验现象难以简单复现等研发难题。本报告介绍了现有大尺寸高拉速光伏晶体硅生产体系中,电池端复合活性缺陷的行为,讨论有关缺陷的表征方法与产生机制。
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